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SUD06N10-225L-E3中文资料

SUD06N10-225L-E3图片

SUD06N10-225L-E3外观图

  • 大小:87.7KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET,N CH,DIODE,100V,6.5A,TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:6.5A; Power Dissipation Pd:20W; Voltage Vgs Max:20V
  • 标准包装:2,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:200 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:240pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:Q5396740VSSUD06N10-225L-E3-NDSUD06N10-225L-E3TR

SUD06N10-225L-E3供应商

更新时间:2023-04-04 06:40:02
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